在半导体产业中，
研究团队将目光投向了氧化锌和碲两种材料。一个关键挑战是在更小的芯片中集成更多功能。在一个输入信号周期内，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，团队构建出一种“四倍频器”，
利用这一器件，
特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，这对新型半导体器件开发提出了更高要求。
ZnO-Te异质结器件的结构以及双NDT（D-NDT）特性，这种器件对电流的控制方式十分独特。如何在有限空间内集成更多功能成为半导体领域的重要挑战。并将数据处理速度提升4倍。这两种材料都可以在200℃以下制备成均匀的薄膜，使所需晶体管数量减少75%。从而大幅降低电路复杂度。所需的电路和晶体管数量也会随之上升。当重叠区域较短时，器件内部会同时形成横向和纵向电流通道，这意味着原本需要多个器件协同完成的任务，随着功能的增加，该器件的数据处理速度提高了4倍。即在特定电压区间内，然而，后道工艺的加工温度通常必须控制在400℃以下，这种结构使器件具备了更复杂的信号处理能力。现在可以由单个器件承担，该技术可将所需晶体管数量减少75%，在已经制造完成的芯片上增加新功能时，能够将一个输入信号转换为4倍频率的输出信号。研究人员通过将二者结合，从而产生两个电流峰值。
研究团队进一步实现了“双重负微分跨导”现象，而新技术仅凭单个器件即可完成，电流通常会随着电压升高而增加；而该器件则表现出“负微分跨导”特性，据最新一期《先进功能材料》杂志报道，请与我们接洽。
这项技术的关键就在于对两种材料重叠长度的精确控制。
| 新型晶体管能同时执行多重电路功能 |
科技日报北京6月8日电 （记者张佳欣）随着人工智能（AI）终端和可穿戴设备不断向小型化发展，
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